RJH30H2DPK-M0

RJH30H2DPK-M0. C(in): 1200pF. Kosten): 80pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Kompatibilität: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 20:25.