Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

RSQ035P03

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RSQ035P03. C(in): 780pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC-DC-Spannungswandler. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TM. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 65m Ohms. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.6mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSMT6. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 6. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.

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C(in): 530pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Dr...
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C(in): 530pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 365P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 365 P. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 35V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Wechselrichter, Netzteile. G-S-Schutz: NINCS
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