SGP30N60

SGP30N60. RoHS: ja. C(in): 1600pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 3. Kollektorstrom: 41A. Ic(Impuls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.