Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 4 1.18€ 1.42€
5 - 9 1.13€ 1.36€
10 - 24 1.07€ 1.28€
25 - 49 1.01€ 1.21€
50 - 99 0.98€ 1.18€
100 - 249 0.60€ 0.72€
250 - 2089 0.57€ 0.68€
Menge U.P
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Set mit 1

SI2304DDS-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 235pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.

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