SI2308BDS-T1-GE3

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.34€	0.41€
5 - 9	0.32€	0.38€
10 - 24	0.30€	0.36€
25 - 49	0.29€	0.35€
50 - 99	0.28€	0.34€
100 - 249	0.27€	0.32€
250 - 8783	0.26€	0.31€

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Set mit 1

SI2308BDS-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.66W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.

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