SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: N9. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 210pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.