SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4431CDY-T1-GE3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1006pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.