SI4435BDY

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.69€	0.83€
5 - 9	0.65€	0.78€
10 - 24	0.62€	0.74€
25 - 49	0.59€	0.71€
50 - 99	0.57€	0.68€
100 - 249	0.56€	0.67€
250 - 2093	0.53€	0.64€

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Set mit 1

SI4435BDY. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.

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