SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3. C(in): 12350pF. Kosten): 2775pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 84 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Id(imp): 70A. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 7.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 12V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.