SI4559EY-E3

SI4559EY-E3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4559EY. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.