SI4840BDY

SI4840BDY. C(in): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0074 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.