Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65€ | 1.98€ |
5 - 9 | 1.57€ | 1.88€ |
10 - 24 | 1.49€ | 1.79€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.69€ |
50 - 99 | 1.37€ | 1.64€ |
100 - 249 | 1.34€ | 1.61€ |
250 - 2256 | 1.27€ | 1.52€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65€ | 1.98€ |
5 - 9 | 1.57€ | 1.88€ |
10 - 24 | 1.49€ | 1.79€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.69€ |
50 - 99 | 1.37€ | 1.64€ |
100 - 249 | 1.34€ | 1.61€ |
250 - 2256 | 1.27€ | 1.52€ |
SI4925BDY. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 60 ns. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 7.1A. IDSS (max): 7.1A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.
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