SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm bei 4,7 A. Herstellerkennzeichnung: SI4946BEY-T1-E3. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.