SI9936BDY-E3

SI9936BDY-E3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9936BDY. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 550pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.