SIR474DP

SIR474DP. C(in): 985pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 14 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „High-Side-Schalter“. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 196k Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 29.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.