SPD28N03L

SPD28N03L. C(in): 790pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 32 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 112A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N03L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.