SPP10N10

SPP10N10. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 10N10. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 426pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.