SPP18P06P

SPP18P06P. C(in): 230pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18P06P. Pd (Verlustleistung, max): 81W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.102 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.