SPP20N60C3

SPP20N60C3. C(in): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 62.1A. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO220-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.