SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.