Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.40€ | 0.48€ |
10 - 24 | 0.38€ | 0.46€ |
25 - 49 | 0.36€ | 0.43€ |
50 - 99 | 0.34€ | 0.41€ |
100 - 249 | 0.33€ | 0.40€ |
250 - 499 | 0.29€ | 0.35€ |
500 - 816 | 0.27€ | 0.32€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.40€ | 0.48€ |
10 - 24 | 0.38€ | 0.46€ |
25 - 49 | 0.36€ | 0.43€ |
50 - 99 | 0.34€ | 0.41€ |
100 - 249 | 0.33€ | 0.40€ |
250 - 499 | 0.29€ | 0.35€ |
500 - 816 | 0.27€ | 0.32€ |
SS36-E3. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS36. Äquivalente: SS36-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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