Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SS8050CTA

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SS8050CTA. Kosten): 9pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S8050 C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (Ammo-Pack). Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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