Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SS8550

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SS8550. C(in): 11pF. Kosten): 1.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.

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