SSS10N60A

SSS10N60A. C(in): 1750pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 440 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.