SSS7N60A

SSS7N60A. C(in): 1150pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 415 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.