STD10NF10

STD10NF10. C(in): 470pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D10NF10. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STRipFET™ II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.