STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50mA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.