STH8NA60FI

STH8NA60FI. C(in): 1350pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schneller Leistungs-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H8NA60FI. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Erweiterungsmodus . Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Viso 4000V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.