STN83003

STN83003. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N83003. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 1000. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN93003. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.