Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 9 | 0.61€ | 0.73€ |
10 - 24 | 0.58€ | 0.70€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.66€ |
50 - 99 | 0.52€ | 0.62€ |
100 - 249 | 0.51€ | 0.61€ |
250 - 499 | 0.49€ | 0.59€ |
500 - 971 | 0.43€ | 0.52€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.61€ | 0.73€ |
10 - 24 | 0.58€ | 0.70€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.66€ |
50 - 99 | 0.52€ | 0.62€ |
100 - 249 | 0.51€ | 0.61€ |
250 - 499 | 0.49€ | 0.59€ |
500 - 971 | 0.43€ | 0.52€ |
STN851. Kosten): 215pF. Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Schnell schaltender NPN-Leistungstransistor mit niedriger Spannung. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.32V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 1000. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.
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