STP11NM80

STP11NM80. C(in): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 612 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P11NM80. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.