STP120NF10

STP120NF10. C(in): 5200pF. Kosten): 785pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 152 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P120NF10. Pd (Verlustleistung, max): 312W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.