STP12NM50

STP12NM50. C(in): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P12NM50. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 550V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.