STP20NM60FD

STP20NM60FD. C(in): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 192W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.