STP26NM60N

STP26NM60N. C(in): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.