STP36NF06

STP36NF06. C(in): 690pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P36NF06. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.