STP3NB60

STP3NB60. C(in): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NB60. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.