STP3NK80Z

STP3NK80Z. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr hohes du/dt-Verhältnis, für Schaltanwendungen. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.