N-Kanal-Transistor, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220 - STP55NF06

N-Kanal-Transistor, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220 - STP55NF06. N-Kanal-Transistor, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Gehäuse: TO220. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Serie: 1300pF. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 50A. Antriebsspannung: 10V. Rds on (max) @ id, vgs: 75 ns. Vgs (th) (max) @ id: MOSFET. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Betriebstemperatur: 35A. Montageart: THT. Eigenschaften: 1uA. Information: P55NF06. MSL: 3. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 23/07/2025, 15:25.