STP55NF06L

STP55NF06L. C(in): 1700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06L. Pd (Verlustleistung, max): 95W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.