STP5NK60ZFP

STP5NK60ZFP. C(in): 690pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 485 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+ °C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.