STP5NK80Z

STP5NK80Z. C(in): 910pF. Kosten): 98pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.