STP62NS04Z

STP62NS04Z. C(in): 1330pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: vollständig geschützt. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. IDSS: 0.01mA. IDSS (max): 62A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P62NS04Z. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 12.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 33V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.