Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.20€ | 2.64€ |
5 - 9 | 2.09€ | 2.51€ |
10 - 24 | 1.98€ | 2.38€ |
25 - 49 | 1.87€ | 2.24€ |
50 - 69 | 1.83€ | 2.20€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.20€ | 2.64€ |
5 - 9 | 2.09€ | 2.51€ |
10 - 24 | 1.98€ | 2.38€ |
25 - 49 | 1.87€ | 2.24€ |
50 - 69 | 1.83€ | 2.20€ |
STP7NK80Z. C(in): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Zener-Protected. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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