STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP. C(in): 1320pF. Kosten): 143pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P8NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.