STQ1NK60ZR-AP

STQ1NK60ZR-AP. C(in): 94pF. Kosten): 17.6pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 135 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1NK60ZR. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammopak. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zener-geschützt, ESD-verbesserte Fähigkeit. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.