STTA512D

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STTA512D. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 45A. MRT (maximal): 0.3mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Schwellenspannung Vf (max): 2.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.35V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--45Ap. Funktion: Ultraschnelle Diode, Hochspannung. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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