STW18NM80

STW18NM80. C(in): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM80. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.