STW20NM60

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	5.75€	6.90€
2 - 2	5.46€	6.55€
3 - 4	5.17€	6.20€
5 - 9	4.89€	5.87€
10 - 19	4.77€	5.72€
20 - 29	4.66€	5.59€
30 - 30	4.48€	5.38€

Menge	U.P
1 - 1	5.75€	6.90€
2 - 2	5.46€	6.55€
3 - 4	5.17€	6.20€
5 - 9	4.89€	5.87€
10 - 19	4.77€	5.72€
20 - 29	4.66€	5.59€
30 - 30	4.48€	5.38€

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Menge auf Lager : 30

Set mit 1

STW20NM60. C(in): 1450pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W20NM60. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

Technische Dokumentation

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Per E-Mail

Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!