STW28N65M2

STW28N65M2. C(in): 1440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N65M2. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.